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本国际标准是根据国际公认的标准化原则制定的。该标准化原则在世界贸易组织技术性贸易壁垒(TBT)委员会发布的《国际标准,指南及建议制定原则》中的决议予以确立。
标号:E112-13(R2021)
测定平均晶粒度的标准试验方法1
本标准以固定代号E112形式颁发,紧跟代号后面的数字显示该文献初始使用年份或,如果是修订本,该数字显示其最后修订年份。括弧内的数字(ɛ)显示最后重新审批的年份。上标小字体显示从最后修订可重新审批时的编辑变化。
本标准由国防部门机构批准使用。
引 言
测定金属材料平均晶粒度的方法主要是测量程序问题,因为它们纯属几何学问题,所以与待测量金属和合金无直接关系。实际上,这些基本程序一也可用于非金属材料的晶粒、晶体和晶胞尺寸的测定。如果材料的组织在表观上接近于某一个标准比较图,则可以应用比较法,但比较图不能用于单个晶粒的测定。
1. 范围
1.1 本试验方法适用于平均晶粒度的测量,它包括了比较法、面积计算法(或Jeffries法)和截距法。这些方法也可用于具有表观上与标准比较图中所示的金属组织相类似组织的非金属材料。这些试验方法主要用于测定单相的晶粒组织,但也可用于测定多相或多组分试样中的特定型式的晶粒结构的平均晶粒度。
1.2 本试验方法用于测定具有晶粒面积、直径或截距长度成单峰分布的试样的平均晶粒度。这些分布约为对数正态分布。本试验方法并不包含来确定这些分布性质的方法。试验方法E1181中描述了具有双峰晶粒度分布的试样中的晶粒度的表征。试验方法E930中描述了在一个细晶组织中单个极粗晶粒的测量。
1.3 本试验方法仅涉及平面晶粒度的测定,即由截取平面揭示的二维晶粒截面的表征。空间晶粒度的测定,即试样体积中三维晶粒的测量则超出了本试验方法的范围。
1.4 本试验方法描述了采用比较法时用一种标准分级图谱,或采用人工计数法时用单纯样板的人工操作技术;试验方法E1382中描述了测量晶粒度的半自动数字表或自动图像分析仪的使用。
1.5 本试验方法仅涉及建议的试验方法,其中没有什么内容应认作为定义或建立受试材料是否接收或适合使用的界限。
1.6 量值用SI单位表示,这些单位应视为标准值。如列出了等效的英制数值,则其是放在括号内,且它可能是近似值。
1.7 本标准并没有完全列举所有的安全声明,如果有必要,根据实际使用情况进行斟酌。使用本规范前,使用者有责任制定符合安全、健康和环保要求的条例和规范,并明确该规范的使用范围。
1.8 各章节顺序如下:
章节 编号
范围 1
引用文件 2
术语 3
意义和用途 4
使用的一般事项 5
取样 6
试样 7
校验 8
显微照片的制备 9
比较法 10
面积计算法(Jeffries法) 11
一般截距法 12
Heyn线截距法 13
圆截距法 14
Hilliad单圆法 14.2
Abrams三圆法 14.3
统计分析 15
非等轴晶粒形状的试样 16
含有二相或多相或多组分的试样 17
报告 18
精度和偏差 19
关键词 20
附录:
ASTM晶粒度级号的基本原理 附录A1
不同晶粒度测量方法之间的换算公式 附录A2
铁素体和奥氏体钢的奥氏体晶粒度 附录A3
断口晶粒度方法 附录A4
对锻造铜和铜基合金的要求 附录A5
特殊情况下的应用 附录A6
附件:
实验室间对晶粒度测定的结果 附件X1
参考附件 附件X2
1.9 本国际标准是根据国际公认的标准化原则制定的。该标准化原则在世界贸易组织技术性贸易壁垒(TBT)委员会发布的《国际标准,指南及建议制定原则》中的决议予以确立。
2. 引用文件
2.1 ASTM标准2
E3 金相样品制备的标准方法
E7 金相学的有关术语
E407 金属和合金显微浸蚀的标准方法
E562 用系统的人工数点测定体积分数的标准推荐操作法
E691 为测定试验方法精度进行的实验室之间研究的操作法
E883 反射光显微照相术指南
E930 对一个金相断面观察到的最大晶粒估算的试验方法(ALA晶粒度)
E1181 对于双峰晶粒度表征的试验方法
E1382 用半自动和自动图像分析测定平均晶粒度的试验方法
2.2 ASTM附加件:
2.2.1 完整的附加件表见附录X2。
3. 术语
3.1 定义一本试验方法所用的术语的定义见术语ASTM E7。
3.2 本标准专用术语的定义:
3.2.1 ASTM晶粒度级数—ASTM晶粒度级数G原始定义为 (1)
式中N AE为在100倍放大倍数下每平方英寸的晶粒数。要得到1倍下每平方毫米的晶粒数,应将此数乘以15.50。
3.2.2 晶粒—在整个多晶材料中具有相同原子排列的单个晶体;晶粒内包含或不包含有孪生区域或亚晶粒。
3.2.3 晶界—晶界是结构相同而取向不同晶粒之间的界面。在三维多晶材料中的两维平面上,被一个单独晶粒包围的相邻晶粒之间的晶粒边界组成了两维尺寸晶粒的轮廓线,其可通过光学显微镜观察并使用本测试方法中的工艺进行计数或测量。
3.2.4晶界截点法,P-测试线跨越晶界或者相切(相切一次作为一个交叉点)的次数(三联点交叉视为1-1⁄2交叉点)。
3.2.5 晶粒截取计数,N—测定检测线通过抛光平面上单个晶粒交切的次数(相切认为是半个截取:终止在一个晶粒内的检测线被认为是半个截取)。
3.2.6 截距长度—由于检测线的随机放置,在任何位置穿过晶粒的检测线段上二个相对、相邻晶界交截点之间的距离。
3.3 符号:
α=二相(组分)显微结构中的基体晶粒;
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